据业内人士称，全球最大存储芯片制造商三星电子公司在美国新设了一个研究实验室，以开发新一代3D DRAM。该实验室隶属于总部位于美国硅谷、负责三星在美国半导体生产的Device Solutions America ，将致力于开发升级的DRAM模型，使三星能够引领全球3D存储芯片市场。

相关信息显示，Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度单位，与 GB（G Byte）不同。一根内存条有多枚 DRAM 芯片，这些 DRAM 颗粒组合起来就是 Rank（内存区块），大家常见的逻辑容量主要包括 8GB、16GB、32GB 这些，但也有 128GB 的服务器级内存，其中就使用了不等数量的 DRAM 芯片，目前美光官网列出的 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 和 24Gb 产品，三星官网 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 产品，SK 海力士也是 16Gb 产品。

基于 2013 年全球首款 3D 垂直结构 NAND（3D V-NAND）商业化的成功经验，三星电子的目标是主导 DRAM 3D 垂直结构的开发。

去年10月，三星透露正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构，允许更大的单芯片容量，可以超过100千兆位。

三星电子去年在日本举行的“VLSI 研讨会”上发表了一篇包含 3D DRAM 研究成果的论文，并展示了作为实际半导体实现的 3D DRAM 的详细图像。